본기는 열여기를 이용한 실리콘 wafer용 P.N 판정기입니다.
[ 사 양 ]
본체 크기
W 148×D 152×H 76mm
본체 중량
약1.6kg
소비 전력
10W이하
Probe 총길이
약850mm（코드부 약 650mm）
MODEL PN-01은 실리콘 웨이퍼 또는 실리콘 잉곳의 P타입, N타입을 간단하게 판정할 수
있습니다. 정류성 방식과 열기전력 방식을 겸용함으로써, 폭넓은 저항율 범위로 사용을 할 수
있습니다. 또, 웨이퍼는, P on N이나 N on P의 판정을 할 수 있습니다.
판정 가능한 시료특(Dopants)
Silicon Wafer, Ingot의 Ｐ또는 N type
P-type（B；Boron P+）N-type（P；Sb）
저항율범위(Resistivity range)
0.001Ω- cm ～ 1500Ω- cm
(정류성 방식은 1Ω-cm 추천）
정류성 방식(Pin probe)
주로 Silico Wafer용
For wafer as-cut, polished, lapped, P on N or N on P
열기전력방식(Hot probe)
주로 Ingot,Bulk용
For bulk, ingot
전원(Power)
100VAC 50/60Hz
크기/중량(Physical data)
본체 225W×150D×80H（mm）/ 2kg
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